русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFX20N120P
IXFX20N120P
IXFX20N120P
Тип продуктов:
IXFX20N120P
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
36764 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFX20N120P.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFX20N120P, use the request quote form to request IXFX20N120P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFX20N120P.The price and lead time for IXFX20N120P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFX20N120P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - испытания:11100pF @ 25V
Напряжение - Разбивка:PLUS247™-3
Vgs (й) (Max) @ Id:570 mOhm @ 10A, 10V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Серии:HiPerFET™, PolarP2™
Статус RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20A (Tc)
поляризация:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень влажности (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:8 Weeks
Номер детали производителя:IXFX20N120P
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:193nC @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:6.5V @ 1mA
FET Характеристика:N-Channel
Расширенное описание:N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Слить к источнику напряжения (VDSS):-
Описание:MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1200V (1.2kV)
Коэффициент емкости:780W (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFX20N120P

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFX24N100 Image IXFX24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247 запрос
IXFX210N17T Image IXFX210N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 запрос
IXFX180N25T Image IXFX180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247 запрос
IXFX230N20T Image IXFX230N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 запрос
IXFX180N07 Image IXFX180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247 запрос
IXFX200N10P Image IXFX200N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 запрос
IXFX170N20T Image IXFX170N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 запрос
IXFX240N25X3 Image IXFX240N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 240A PLUS247-3 запрос
IXFX210N30X3 Image IXFX210N30X3 IXYS Corporation 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFX180N10 Image IXFX180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247 запрос
IXFX170N20P Image IXFX170N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 запрос
IXFX21N100Q Image IXFX21N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 запрос
IXFX21N100F Image IXFX21N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 запрос
IXFX180N085 Image IXFX180N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247 запрос
IXFX240N15T2 Image IXFX240N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 запрос
IXFX20N120 Image IXFX20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 запрос
IXFX160N30T Image IXFX160N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247 запрос
IXFX220N17T2 Image IXFX220N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 запрос
IXFX20N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3 запрос
IXFX180N15P Image IXFX180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 запрос

Latest Новости