русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFH12N80P
IXFH12N80P
IXFH12N80P
Тип продуктов:
IXFH12N80P
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
79723 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
IXFH12N80P.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFH12N80P, use the request quote form to request IXFH12N80P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFH12N80P.The price and lead time for IXFH12N80P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFH12N80P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5.5V @ 2.5mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247AD (IXFH)
Серии:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:850 mOhm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):360W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:2800pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:51nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):800V
Подробное описание:N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFH12N80P

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFH120N25T Image IXFH120N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO-247 запрос
IXFH12N100P Image IXFH12N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 запрос
IXFH12N90P Image IXFH12N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 запрос
IXFH12N100Q Image IXFH12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD запрос
IXFH13N50 Image IXFH13N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD запрос
IXFH12N100F Image IXFH12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD запрос
IXFH130N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXFH13N90 Image IXFH13N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 запрос
IXFH140N20X3 Image IXFH140N20X3 IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFH13N80 Image IXFH13N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD запрос
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD запрос
IXFH120N25X3 Image IXFH120N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO247 запрос
IXFH12N120 Image IXFH12N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 запрос
IXFH13N100 Image IXFH13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 запрос
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 запрос
IXFH12N100 Image IXFH12N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD запрос
IXFH140N10P Image IXFH140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-247 запрос
IXFH120N30X3 Image IXFH120N30X3 IXYS Corporation 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS запрос
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 12A TO247 запрос
IXFH13N80Q Image IXFH13N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 запрос

Latest Новости