APTM50H15FT1G
Тип продуктов:
APTM50H15FT1G
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
62965 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
1.APTM50H15FT1G.pdf2.APTM50H15FT1G.pdf

Введение

We can supply APTM50H15FT1G, use the request quote form to request APTM50H15FT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM50H15FT1G.The price and lead time for APTM50H15FT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM50H15FT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Поставщик Упаковка устройства:SP1
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 21A, 10V
Мощность - Макс:208W
упаковка:Bulk
Упаковка /:SP1
Другие названия:APTM50H15UT1G
APTM50H15UT1G-ND
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:5448pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:170nC @ 10V
Тип FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET Характеристика:Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS):500V
Подробное описание:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:25A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание