русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT38F80B2
APT38F80B2
APT38F80B2
Тип продуктов:
APT38F80B2
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
47413 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
1.APT38F80B2.pdf2.APT38F80B2.pdf
запрос

Введение

We can supply APT38F80B2, use the request quote form to request APT38F80B2 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT38F80B2.The price and lead time for APT38F80B2 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT38F80B2.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:T-MAX™ [B2]
Серии:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:240 mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):1040W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-247-3 Variant
Другие названия:APT38F80B2MI
APT38F80B2MI-ND
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:21 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:8070pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:260nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):800V
Подробное описание:N-Channel 800V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:41A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT38F80B2

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT39M60J Image APT39M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 запрос
APT4012BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD запрос
APT39F60J Image APT39F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227 запрос
APT38F50J Image APT38F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 запрос
APT37F50S Image APT37F50S Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK запрос
APT37M100B2 Image APT37M100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX запрос
APT4012BVR Microsemi MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD запрос
APT36GA60BD15 Image APT36GA60BD15 Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT4065BNG Microsemi MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD запрос
APT37F50B Image APT37F50B Microsemi MOSFET N-CH 500V 37A TO-247 запрос
APT38N60SC6 Image APT38N60SC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK запрос
APT35SM70S Microsemi MOSFET N-CH 700V D3PAK запрос
APT36N90BC3G Image APT36N90BC3G Microsemi MOSFET N-CH 900V 36A TO-247 запрос
APT4016BVRG Microsemi MOSFET N-CH 400V TO-247 запрос
APT38M50J Image APT38M50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP запрос
APT38F80L Image APT38F80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 41A TO-264 запрос
APT37M100L Image APT37M100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264 запрос
APT36GA60B Image APT36GA60B Microsemi IGBT 600V 65A 290W TO-247 запрос
APT38N60BC6 Image APT38N60BC6 Microsemi MOSFET N-CH 600V 38A TO-247 запрос
APT35SM70B Microsemi MOSFET N-CH 700V TO247 запрос

Latest Новости