русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > 55GN01CA-TB-E
55GN01CA-TB-E
55GN01CA-TB-E
Тип продуктов:
55GN01CA-TB-E
производитель:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Описание:
TRANS NPN BIPOLAR 10V 70MA CP
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Доступное количество:
27346 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
55GN01CA-TB-E.pdf
запрос

Введение

We can supply 55GN01CA-TB-E, use the request quote form to request 55GN01CA-TB-E pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 55GN01CA-TB-E.The price and lead time for 55GN01CA-TB-E depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 55GN01CA-TB-E.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):10V
Тип транзистор:NPN
Поставщик Упаковка устройства:3-CP
Серии:-
Мощность - Макс:200mW
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Другие названия:55GN01CA-TB-E-ND
55GN01CA-TB-EOSTR
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Коэффициент шума (дБ Typ @ F):1.9dB @ 1GHz
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:9 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Усиление:9.5dB
Частота - Переход:4.5GHz
Подробное описание:RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz 200mW Surface Mount 3-CP
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 10mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (Макс):70mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для 55GN01CA-TB-E

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
55GDMSJD80E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 80E DIN E RATED SQD запрос
55GFMSJ400ES Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 400E DIN E RATE SIEME запрос
55GFMSJ200ES Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 200E DIN E RATE SIEME запрос
55GFMNJD175E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 175E DIN E RATE SQD запрос
55GDMSJD25E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 25E DIN E RATE SQD запрос
55GFMNJD350E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 350E DIN E RATED запрос
55GFMNJD300E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 300E DIN E RATED запрос
55GDMSJD50E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 50E DIN E RATE SQD запрос
55GDMSJD65E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 65E DIN E RATE запрос
55GFMSJ175ES Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 175E DIN E RATE SIEME запрос
55GN01MA-TL-E Image 55GN01MA-TL-E AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP запрос
55GN01FA-TL-H Image 55GN01FA-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP запрос
55GDMSJD20E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 20E DIN E RATED SQD запрос
55GDMSJD40E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 40E DIN E RATE SQD запрос
55GDMSJD30E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 30E DIN E RATE SQD запрос
55GFMNJD250E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 250E DIN E RATED запрос
55GFMSJ250ES Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 250E DIN E RATE SIEME запрос
55GFMNJD200E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 200E DIN E RATE SQD запрос
55GFMNJD150E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 150E DIN E RATE SQD запрос
55GFMNJD450E Bussmann (Eaton) FUSE 5.5KV 450E DIN E RATE SQD запрос

Latest Новости