2N2907AE4
Тип продуктов:
2N2907AE4
производитель:
Microsemi
Описание:
DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Соответствует RoHS
Доступное количество:
18697 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
2N2907AE4.pdf

Введение

We can supply 2N2907AE4, use the request quote form to request 2N2907AE4 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2N2907AE4.The price and lead time for 2N2907AE4 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2N2907AE4.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):60V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
Тип транзистор:PNP
Поставщик Упаковка устройства:TO-18
Серии:-
Статус RoHS:RoHS Compliant
Мощность - Макс:500mW
Упаковка /:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Частота - Переход:-
Подробное описание:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):10µA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс):600mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание