2N2222AE3
Тип продуктов:
2N2222AE3
производитель:
Microsemi
Описание:
SMALL-SIGNAL BJT
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:
Соответствует RoHS
Доступное количество:
29290 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
2N2222AE3.pdf

Введение

We can supply 2N2222AE3, use the request quote form to request 2N2222AE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2N2222AE3.The price and lead time for 2N2222AE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2N2222AE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Состояние New & Unused, Original Packing
происхождения Contact us
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Тип транзистор:NPN
Поставщик Упаковка устройства:TO-18
Серии:-
Статус RoHS:RoHS Compliant
Мощность - Макс:500mW
Упаковка /:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Рабочая Температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Частота - Переход:-
Подробное описание:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):50nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):800mA
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание