W987D6HBGX6E TR
- Modelo do Produto:
- W987D6HBGX6E TR
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descrição:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 10387 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- W987D6HBGX6E TR.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 15ns |
| Tensão - Fornecimento: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 54-VFBGA (8x9) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 54-TFBGA |
| Outros nomes: | W987D6HBGX6E TR-ND W987D6HBGX6ETR |
| Temperatura de operação: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 128Mb (8M x 16) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | DRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9) |
| Freqüência de relógio: | 166MHz |
| Tempo de acesso: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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