Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252, (D-Pak) |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 38W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Outros nomes: | TSM60N1R4CP ROGTR TSM60N1R4CP ROGTR-ND TSM60N1R4CPROGTR |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 370pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.7nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
Descrição detalhada: | N-Channel 600V 3.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |