TSM4NB60CZ C0G
TSM4NB60CZ C0G
Modelo do Produto:
TSM4NB60CZ C0G
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
36866 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TSM4NB60CZ C0G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):50W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:TSM4NB60CZ C0G-ND
TSM4NB60CZC0G
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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