TPW1R005PL,L1Q
TPW1R005PL,L1Q
Modelo do Produto:
TPW1R005PL,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
38456 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TPW1R005PL,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-DSOP Advance
Série:U-MOSIX-H
Dissipação de energia (Max):960mW (Ta), 170W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPW1R005PL,L1Q(M
TPW1R005PLL1QTR
Temperatura de operação:175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9600pF @ 22.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:122nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):45V
Descrição detalhada:N-Channel 45V 300A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:300A (Tc)
Email:[email protected]

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