TPCC8008(TE12L,QM)
- Modelo do Produto:
- TPCC8008(TE12L,QM)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 61206 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.TPCC8008(TE12L,QM).pdf2.TPCC8008(TE12L,QM).pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1A |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Série: | U-MOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 6.8 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | TPCC8008(TE12LQM)TR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 30V 25A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 25A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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