TPAR3G S1G
TPAR3G S1G
Modelo do Produto:
TPAR3G S1G
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição:
DIODE AVALANCHE 400V 3A TO277A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
40249 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TPAR3G S1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.55V @ 3A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):400V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-277A (SMPC)
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):120ns
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-277, 3-PowerDFN
Outros nomes:TPAR3G S1GCT
TPAR3G S1GCT-ND
TPAR3GS1GCT
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Avalanche
Descrição detalhada:Diode Avalanche 400V 3A Surface Mount TO-277A (SMPC)
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 400V
Atual - rectificada média (Io):3A
Capacitância @ Vr, F:58pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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