TK1K9A60F,S4X
TK1K9A60F,S4X
Modelo do Produto:
TK1K9A60F,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
49936 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TK1K9A60F,S4X.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 400µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:U-MOSIX
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.9 Ohm @ 1.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):30W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK1K9A60F,S4X(S
TK1K9A60FS4X
TK1K9A60FS4X(S
Temperatura de operação:150°C
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):Not Applicable
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.7A (Ta)
Email:[email protected]

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