SUD09P10-195-GE3
SUD09P10-195-GE3
Modelo do Produto:
SUD09P10-195-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
23446 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SUD09P10-195-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:195 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SUD09P10-195-GE3DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1055pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:34.8nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:P-Channel 100V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.8A (Tc)
Email:[email protected]

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