STD3NK60Z-1
STD3NK60Z-1
Modelo do Produto:
STD3NK60Z-1
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
62860 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
STD3NK60Z-1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-PAK
Série:SuperMESH™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):45W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:311pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 2.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.4A (Tc)
Email:[email protected]

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