SSM5H12TU(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- SSM5H12TU(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 9739 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.SSM5H12TU(TE85L,F).pdf2.SSM5H12TU(TE85L,F).pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | UFV |
| Série: | U-MOSIII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 133 mOhm @ 1A, 4V |
| Dissipação de energia (Max): | 500mW (Ta) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Outros nomes: | SSM5H12TU(TE85LF)DKR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 123pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.9nC @ 4V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.8V, 4V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 30V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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