SIHG33N65E-GE3
- Modelo do Produto:
- SIHG33N65E-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 46923 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SIHG33N65E-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247AC |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 313W (Tc) |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | SIHG33N65E-GE3CT |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 20 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4040pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 173nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 32.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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