SIHG32N50D-E3
SIHG32N50D-E3
Modelo do Produto:
SIHG32N50D-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
53466 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SIHG32N50D-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247AC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:150 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):390W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2550pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:96nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 30A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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