SIHD5N50D-GE3
- Modelo do Produto:
- SIHD5N50D-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 38915 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SIHD5N50D-GE3.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252AA |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 104W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3CT-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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