Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | 10-PolarPAK® (S) |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5.5 mOhm @ 14A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | 10-PolarPAK® (S) |
Outros nomes: | SIE832DF-T1-GE3TR SIE832DFT1GE3 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3800pF @ 20V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
Descrição detalhada: | N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |