SI8261BAD-C-IS
- Modelo do Produto:
- SI8261BAD-C-IS
- Fabricante:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Descrição:
- DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 69012 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- SI8261BAD-C-IS.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Fornecimento: | 6.5 V ~ 30 V |
| Tensão - Isolamento: | 5000Vrms |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo): | 2.8V (Max) |
| Tecnologia: | Capacitive Coupling |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-SDIP |
| Série: | Automotive, AEC-Q100 |
| Aumento / tempo de queda (típico): | 5.5ns, 8.5ns |
| Distorção de largura de pulso (máx.): | 28ns |
| Atraso de propagação tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 125°C |
| Número de canais: | 1 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP |
| Atual - de saída de pico: | 4A |
| Atual - Saída Alto, Baixo: | 500mA, 1.2A |
| Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.): | 30mA |
| Imunidade Transiente em Modo Comum (Min): | 35kV/µs |
| aprovações: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
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