SI7900AEDN-T1-E3
SI7900AEDN-T1-E3
Modelo do Produto:
SI7900AEDN-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
24877 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI7900AEDN-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:900mV @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8 Dual
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power - Max:1.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8 Dual
Outros nomes:SI7900AEDN-T1-E3TR
SI7900AEDNT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A
Número da peça base:SI7900
Email:[email protected]

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