SI7326DN-T1-E3
SI7326DN-T1-E3
Modelo do Produto:
SI7326DN-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
63572 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI7326DN-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:19.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8
Outros nomes:SI7326DN-T1-E3CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

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