SI6404DQ-T1-GE3
SI6404DQ-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI6404DQ-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
27167 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI6404DQ-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:600mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 11A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.08W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 8.6A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.6A (Ta)
Email:[email protected]

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