SI4554DY-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI4554DY-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
31977 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI4554DY-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:24 mOhm @ 6.8A, 10V
Power - Max:3.1W, 3.2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:Q6600094
SI4554DY-T1-GE3-ND
SI4554DY-T1-GE3TR
T2178494
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 40V 8A 3.1W, 3.2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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