SI4410DY
SI4410DY
Modelo do Produto:
SI4410DY
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
11316 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI4410DY.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13.5 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:*SI4410DY
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1585pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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