SI4286DY-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI4286DY-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
7686 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI4286DY-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:32.5 mOhm @ 8A, 10V
Power - Max:2.9W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4286DY-T1-GE3TR
SI4286DYT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:375pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A
Número da peça base:SI4286
Email:[email protected]

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