SI1046X-T1-GE3
SI1046X-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI1046X-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
35505 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI1046X-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:950mV @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-89-3
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:420 mOhm @ 606mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):250mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-89, SOT-490
Outros nomes:SI1046X-T1-GE3TR
SI1046XT1GE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:66pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.49nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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