RV2C010UNT2L
RV2C010UNT2L
Modelo do Produto:
RV2C010UNT2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
22905 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.RV2C010UNT2L.pdf2.RV2C010UNT2L.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DFN1006-3 (VML1006)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:470 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):400mW (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:SC-101, SOT-883
Outros nomes:RV2C010UNT2LDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:40pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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