RQ3G150GNTB
- Modelo do Produto:
- RQ3G150GNTB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 47590 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.RQ3G150GNTB.pdf2.RQ3G150GNTB.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-HSMT (3.2x3) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 7.2 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 20W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | RQ3G150GNTBDKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 40 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1450pF @ 20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 40V 39A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 39A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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