RJK6015DPK-00#T0
RJK6015DPK-00#T0
Modelo do Produto:
RJK6015DPK-00#T0
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 21A TO3P
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
5443 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RJK6015DPK-00#T0.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3P
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:360 mOhm @ 10.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):150W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:67nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 21A (Ta) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

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