RGTV60TK65DGVC11
RGTV60TK65DGVC11
Modelo do Produto:
RGTV60TK65DGVC11
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
8754 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RGTV60TK65DGVC11.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.9V @ 15V, 30A
Condição de teste:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:33ns/105ns
Alternando Energia:570µJ (on), 500µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PFM
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):95ns
Power - Max:76W
Caixa / Gabinete:TO-3PFM, SC-93-3
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:64nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 33A 76W Through Hole TO-3PFM
Atual - Collector Pulsada (ICM):120A
Atual - Collector (Ic) (Max):33A
Email:[email protected]

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