RFN2LAM6STR
RFN2LAM6STR
Modelo do Produto:
RFN2LAM6STR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
10008 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.RFN2LAM6STR.pdf2.RFN2LAM6STR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.55V @ 1.5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:PMDTM
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):35ns
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOD-128
Outros nomes:RFN2LAM6SCT
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount PMDTM
Atual - dispersão reversa @ Vr:1µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io):1.5A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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