RF081L2STE25
RF081L2STE25
Modelo do Produto:
RF081L2STE25
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
25350 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RF081L2STE25.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:980mV @ 1.1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:PMDS
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):25ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DO-214AC, SMA
Outros nomes:RF081L2STE25TR
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io):1A
Capacitância @ Vr, F:-
Número da peça base:RF081L2S
Email:[email protected]

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