RD3H200SNTL1
RD3H200SNTL1
Modelo do Produto:
RD3H200SNTL1
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
NCH 45V 20A POWER MOSFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
50647 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
RD3H200SNTL1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):20W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:RD3H200SNTL1CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):45V
Descrição detalhada:N-Channel 45V 20A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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