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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > R6011KNJTL
R6011KNJTL
R6011KNJTL
Modelo do Produto:
R6011KNJTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
36471 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.R6011KNJTL.pdf2.R6011KNJTL.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:390 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):124W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:R6011KNJTLTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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