PSMN102-200Y,115 - Componentes ativos - Diodos de circuitos integrados - MCU CPLD FPGA IC

PSMN102-200Y,115

Modelo do Produto:: PSMN102-200Y,115

Fabricante:: Nexperia

Descrição:: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 77086 Pieces

Tempo de entrega:: 1-2 days

Ficha de dados:: PSMN102-200Y,115.pdf

inquérito

Introdução

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Especificações

Condição	New & Unused, Original Packing
Origem	Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:	4V @ 1mA
Vgs (Max):	±20V
Tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:	LFPAK56, Power-SO8
Série:	TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:	102 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):	113W (Tc)
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
Outros nomes:	1727-5227-2 568-6544-2 568-6544-2-ND 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115
Temperatura de operação:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):	1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	1568pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:	30.7nC @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Característica FET:	-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):	10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):	200V
Descrição detalhada:	N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:	21.5A (Tc)
Email:	[email protected]

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