PDTA123YS,126
PDTA123YS,126
Modelo do Produto:
PDTA123YS,126
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
64658 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
PDTA123YS,126.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92-3
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Power - Max:500mW
Embalagem:Tape & Box (TB)
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Outros nomes:934058781126
PDTA123YS AMO
PDTA123YS AMO-ND
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:35 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:PDTA123
Email:[email protected]

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