Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 150mV @ 500µA, 10mA |
Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | DFN1006-3 |
Série: | - |
Resistor - Base do Emissor (R2): | 2.2 kOhms |
Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
Power - Max: | 250mW |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | SC-101, SOT-883 |
Outros nomes: | 1727-3016-2 568-2117-2 568-2117-2-ND 934058285315 PDTA123EM T/R |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3 |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 30 @ 20mA, 5V |
Atual - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
Número da peça base: | PDTA123 |
Email: | [email protected] |