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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > PBSS5260PAP,115
PBSS5260PAP,115
PBSS5260PAP,115
Modelo do Produto:
PBSS5260PAP,115
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
TRANS 2PNP 60V 2A 6HUSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
34944 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
PBSS5260PAP,115.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-HUSON-EP (2x2)
Série:-
Power - Max:510mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes:1727-1081-2
568-10209-2
568-10209-2-ND
934066891115
PBSS5260PAP
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:100MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 2A 100MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:110 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Número da peça base:PBSS5260PAP
Email:[email protected]

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