NTD4855N-1G
NTD4855N-1G
Modelo do Produto:
NTD4855N-1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 14A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
24534 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTD4855N-1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-PAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2950pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:32.7nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição detalhada:N-Channel 25V 14A (Ta), 98A (Tc) 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 98A (Tc)
Email:[email protected]

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