NTD3055L170T4G
NTD3055L170T4G
Modelo do Produto:
NTD3055L170T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
24600 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NTD3055L170T4G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±15V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:170 mOhm @ 4.5A, 5V
Dissipação de energia (Max):1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:NTD3055L170T4GOS
NTD3055L170T4GOS-ND
NTD3055L170T4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:275pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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