NCV1413BDR2G
Modelo do Produto:
NCV1413BDR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
69889 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
NCV1413BDR2G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo transistor:7 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:16-SOIC
Série:-
Power - Max:-
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:NCV1413BDR2GOSCT
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:30 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 350mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Número da peça base:NCV1413
Email:[email protected]

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