MMUN2213LT1G
- Modelo do Produto:
- MMUN2213LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 28519 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- MMUN2213LT1G.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Power - Max: | 246mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | MMUN2213LT1GOS MMUN2213LT1GOS-ND MMUN2213LT1GOSTR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 36 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número da peça base: | MMUN22**L |
| Email: | [email protected] |
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