MMDF2C03HDR2G
Modelo do Produto:
MMDF2C03HDR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
59610 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MMDF2C03HDR2G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:MMDF2C03HDR2GOS
MMDF2C03HDR2GOS-ND
MMDF2C03HDR2GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 24V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.1A, 3A
Número da peça base:MMDF2C03HD
Email:[email protected]

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