MJD5731T4G
MJD5731T4G
Modelo do Produto:
MJD5731T4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP 350V 1A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
44715 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MJD5731T4G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1A
Tensão - Breakdown:DPAK-3
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:350V
Série:-
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
Resistor - Base (R1) (Ohms):10MHz
Power - Max:1.56W
Polarização:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:MJD5731T4G-ND
MJD5731T4GOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:MJD5731T4G
Frequência - Transição:30 @ 300mA, 10V
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 1.56W Surface Mount DPAK-3
Descrição:TRANS PNP 350V 1A DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100µA
Atual - Collector Cutoff (Max):1V @ 200mA, 1A
Atual - Collector (Ic) (Max):PNP
Email:[email protected]

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