MJD31CT4G
MJD31CT4G
Modelo do Produto:
MJD31CT4G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
11047 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MJD31CT4G.pdf

Introdução

We can supply MJD31CT4G, use the request quote form to request MJD31CT4G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MJD31CT4G.The price and lead time for MJD31CT4G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MJD31CT4G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.2V @ 375mA, 3A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:-
Power - Max:1.56W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:MJD31CT4GOS
MJD31CT4GOS-ND
MJD31CT4GOSTR
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Frequência - Transição:3MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:10 @ 3A, 4V
Atual - Collector Cutoff (Max):50µA
Atual - Collector (Ic) (Max):3A
Número da peça base:MJD31
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações