MJD117-1G
MJD117-1G
Modelo do Produto:
MJD117-1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16803 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MJD117-1G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
Tipo transistor:PNP - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-PAK
Série:-
Power - Max:1.75W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:MJD117-1G-ND
MJD117-1GOS
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:25MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 2A, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max):20µA
Atual - Collector (Ic) (Max):2A
Número da peça base:MJD117
Email:[email protected]

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