MJ11032G
- Modelo do Produto:
- MJ11032G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 55315 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- MJ11032G.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 120V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 3.5V @ 500mA, 50A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 300W |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | TO-204AE |
| Outros nomes: | MJ11032GOS |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 23 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 25A, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 2mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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